<첨부> 레이저 분야 출원 현황

※ 국제특허분류 H01S 3/** 및 5/** 기준 (2002년 4월 현재).

1. 레이저 분야 연도별 출원동향

(단위: 건)

연도	1997		1998		1999		2000		2001		2002.4		계
	특허	실용	특허	실용	특허	실용	특허	실용	특허	실용	특허	실용	특허	실용
출원 건 수	190	6	124	10	164	2	174	3	181	5	56	1	889	27
전년대비 증가율(%)			(-31.6)		23.9		6.6		5.1				3년 평균 11.8

2. 전체 레이저 분야 출원 중 반도체 레이저 관련 분야 출원 비율

(단위: 건)

구분	1997	1998	1999	2000	2001	2002.4	계
전체 레이저 분야	196	134	166	177	186	57	916
반도체 레이저 분야	103	68	97	97	119	37	521
반도체 레이저 비율(%)	52.6	50.7	58.4	54.8	64.0	64.9	56.9

3. 레이저 분야 내·외국별 출원동향

(단위: 건)

연도	1997		1998		1999		2000		2001		2002.4		계
	내국	외국	내국	외국	내국	외국	내국	외국	내국	외국	내국	외국	내국	외국
출원 건 수	111	85	86	48	98	68	80	97	103	83	39	18	517	399

4. 레이저 분야 다출원인별 출원 동향

(단위: 건)

구분		1997	1998	1999	2000	2001	2002.4	계
내국	삼성전자	41	17	26	13	11	5	113
	엘지전자	18	20	7	9	34	20	108
	전자통신연구소	16	9	23	10	7	5	70
	하이닉스	19	5	3	0	1	0	28
외국	소니	4	5	9	8	9	1	36
	사이머(CYMER)	3	0	5	16	5	6	35
	미쓰비시	9	3	2	2	6	1	23

5. 내국인 출원 중 대기업·연구소·중소기업 및 개인 출원 동향

(단위: 건)

구분		1997	1998	1999	2000	2001	2002.4	계
전체 국내 출원		111	86	98	80	103	39	517
대기업	출원	86	62	55	35	63	22	328
	비율(%)	77.5	72.1	56.1	43.8	61.2	69.2	63.4
연구소	출원	20	17	33	24	16	5	115
	비율(%)	18.0	19.8	33.7	30.0	15.5	12.8	22.2
개인 및 중소기업	출원	5	7	10	21	24	7	74
	비율(%)	4.5	8.1	10.2	26.3	23.3	17.9	14.3

6. 반도체 레이저 관련 기술분야별 출원 동향

(단위: 건)

구분	1997	1998	1999	2000	2001	2002.4	계
전체 반도체 레이저 분야	103	68	97	97	119	37	521
활성영역 관련	94	64	76	47	76	22	379
광공진기 관련	1	0	5	14	11	6	37
주변장치 관련	6	3	4	6	11	6	36
광파 가이드 관련	0	0	5	22	6	1	34
출력 제어 관련	2	1	3	2	11	1	20
기타	0	0	4	6	4	1	15

<용어 설명>

반도체 레이저는 레이저 다이오드(LD; Laser Diode)라고도 불려지며, 반도체에 과잉의 운반자(Carrier)를 대량으로 주입했을 경우 전자(electron)와 정공(hole)이 에너지갭을 넘어서 결합할 때 발광하는 효과를 이용하여 반도체로 만들어진 레이저 다이오드를 의미한다.  광통신용 장파장 반도체 레이저는 광섬유 통신시스템의 광원으로 널리 사용되고, 정보처리용 단파장 반도체 레이저는 광 디스크 및 레이저 프린터 등에 사용된다.